Bauform: Solid State Module (SSM)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
Controller: Silicon Motion SM2262EN, 8 Kanäle
NAND-Typ: 3D-NAND TLC, Toshiba/​WD, 96 Layer (BiCS4)
Protokoll: NVMe 1.3
Schreibgeschwindigkeit: bis zu 1000 MB/s
Lesegeschwindigkeit: bis zu 3000 MB/s
IOPS 4K lesen/schreiben: 350k/​200k
Abmessungen: 80x22x3,5mm
Leistungsaufnahme: 7W (maximal), 2.1W (Betrieb), 0.2W (Leerlauf), 0.003W (Schlafmodus)
TBW: 150 TB
MTBF: 2 Mio. Stunden
Besonderheiten: